我又回来了，哈哈
中芯国际找到了“发财路”
趣科纪
发布时间: 09-28
13:30
优质科技领域创作者
在国内芯片制造市场，中芯国际一直被寄予厚望，尤其是在台积电站到美国那边之后，中芯更是被视为华为和国产芯片唯一的依靠。但是与台积电相比，无论是工艺技术，还是产能效率，中芯国际都存在一定的差距，这是国内不得不承认的事实。
那么面对倒戈相向的台积电，以及来自于美国的压力，最近这段时间，中芯国际到底处于什么样的发展状态呢？它是否找到了适合自己的发展方向？
中芯国际的“发财路”
可能之前在大多数人眼里，中芯国际并不出名，其对芯片制造技术的研究也没有台积电那么深入。举个简单的例子，早在去年下半年，台积电就实现了5nm芯片的量产，华为的麒麟9000和苹果的A14处理器，就是由它进行代工生产的。
而当时中芯国际还在为量产14nm芯片发愁，与台积电的技术差距相隔了两代以上，并且中芯同样离不开国外的技术支持。在这种情况下，国人对中芯的看法呈现出两极分化的局面，有些人认为它能担大任，但另外一些人却不怎么看好其芯片代工能力。
为了满足国人的期望并推动国产芯片的进步，后来中芯国际开始调整发展方向，更加侧重于28nm等成熟工艺制程。据了解，截至目前，中芯国际对28nm生产线的布局，已经非常完善并且累计投入了千亿人民币的资金，势必要建立起自主化的产业链。
或许很多人会想，28nm芯片不过是中低端制程，中芯国际为什么会如此重视？难道它不应该更专注于7nm和5nm等先进工艺吗？
诚然，国内对7nm和5nm芯片的研发，的确比较落后，直到现在都没能生产出一颗国产7nm芯片。但这并不代表国内需求最高的是先进芯片，相反的是，根据市场反馈情况来看，28nm才是国内最短缺的，很多行业都会用到，市场需求占比居高不下。
正因于此，中芯国际才会把28nm等成熟工艺制程，视为接下来的工作重点，它准确地洞悉了市场需求，从实际角度出发找到了最适合自己的道路。而且为了扩建28nm生产线，从去年年底到现在，中芯国际可谓是制定了各种措施，计划非常完善。
比如说去年下半年，中芯国际率先开启了对28nm生产线的投资，当时其它代工厂还在想着攻克先进技术，都不明白中芯国际这样做的目的。后来，中芯为了建设一座全新的晶圆工厂，更是一下子拿出了500亿资金，进一步证明了其对28nm市场的重视程度。
一开始中芯国际的做法饱受争议，连国人都感到不理解，但是后来随着全球性缺芯问题的爆发，人们才明白原来中芯国际的眼光如此超前。由于28nm是市场需求最高的制程，所以在缺芯浪潮中，28nm芯片就显得格外重要，中芯借此占据了更大的市场。
毫不夸张地说，现在中芯国际找到了“发财路”，那就是28nm芯片市场。只要中芯愿意继续投资，将产能进一步提升，它的客户就会越来越多，营收和利润也会明显提高。这是其它代工厂忽略的一个点，中芯国际既然准确地抓住了，就一定能借此实现更好的发展。
国产芯片未来可期
除此之外，为了弥补人才和技术方面的差距，中芯国际还与深圳技术大学联合创办了一个集成电路学院，旨在培养更多的专业型人才。要知道，国内的芯片产业之所以迟迟无法崛起，有很大一部分原因就在于人才的数量和质量严重不足，这也是国产芯片必须要重视的问题。
而中芯国际早就看到了自己在这方面的不足之处，其与深圳技术大学的强强联合，不仅仅是为了自身的发展，更是想要促进国产芯片的持续进步。作为国内大陆最大的芯片制造商，中芯国际承载了太多的期望，它必须要站出来为国产芯片正名。
事实上，最近这一年来，国内先后诞生了很多芯片学院，例如清华大学集成电路学院，以及南京集成电路大学等。这说明国内开始加强对芯片专业人才培养的重视程度，只有让人才的数量和质量提升上去了，国产芯片才能不断地进步。
就目前来看，中芯国际的发展比较平稳，其对28nm芯片市场的布局，收获了大量的客户，营收和利润更是在与日俱增。所以才说中芯国际找到了“发财路”，既然先进制程短时间内无法攻克，还不如专注于中低端市场，搞好自主化产业链。
写在最后
当然了，对于中芯国际来说，布局28nm芯片只是一个开始，未来它肯定得继续钻研7nm和5nm等先进芯片，这是时代发展的必然结果。好在如今中芯国际的7nm芯片，马上就要成功量产了，等到其真正迈向高端市场的那一天，国产芯片将迎来新的突破！
中科院专家：已开始核聚变发电站工程设计，有望10年内示范发电
新京报
发布时间: 09-27
18:02
新京报社官方帐号
新京报快讯（记者 张璐）作为2021中关村论坛平行论坛之一，碳达峰碳中和科技论坛于9月26日举行，中科院等离子体物理研究所所长宋云涛在演讲时表示，聚变能是核能发展的最终目标，聚变能可以为碳中和的实现做出重大贡献。
在接受新京报记者采访时，宋云涛表示，他们已经开始做未来核聚变发电站的工程设计，希望在国家的大力支持下，在10年内建成示范工程。
“人造太阳”EAST已稳定运行15年
新京报：受控核聚变研究装置又被称为“人造太阳”，核聚变能有何优势？
宋云涛：目前，世界能源消耗量越来越大，人类需要开发新能源。核聚变能是清洁低碳、安全高效的新能源。核聚变原料和生成物没有放射性物质，它是氘和氚发生反应，不存在核泄漏等问题，即使出现危险，也只是终止反应，非常安全。
海水中蕴藏着大约40万亿吨氘，一升水能够提炼0.03克的氘，其发生聚变反应释放的能量相当于燃烧300升汽油或者燃烧336公斤煤。这样算来，地球上的海水可以供人类使用上亿年。
20世纪50年代，第一颗氢弹成功试爆，但氢弹爆炸是不可控的核聚变反应，不能作为提供社会生产和人类生活能源的手段。此后，人类致力于受控核聚变研究，但这也面临一系列科学技术挑战。
新京报：受控核聚变如何实现？
宋云涛：目前实现聚变的方法主要有磁约束核聚变和惯性约束核聚变等。磁约束核聚变是利用强磁场来约束温度极高的等离子体的核燃料，以使其反应。实现受控核聚变的条件十分苛刻，一是燃料需达到1亿摄氏度以上的极高温度（1亿摄氏度的物质处于等离子体态）；二是具有足够的密度，从而提高燃料原子核之间碰撞而发生核聚变反应的概率；三是具备足够长的能量约束时间，等离子体维持足够长的时间，以便充分地发生聚变反应，放出足够多的能量。
新京报：EAST（全超导托卡马克核聚变实验装置）的建造经历了怎样的过程？运行情况如何？
宋云涛：EAST是世界上首个全超导非圆截面托卡马克核聚变实验装置，中文名称为“东方超环”。这是我们坚持独立自主创新、协同攻关建设的大科学装置。它于2000年开工建设，2006年建成并投入运行。
EAST实验装置可以对受控核聚变相关的前沿物理问题开展探索性的实验研究，通常被称为“人造太阳”。其实“人造太阳”的反应原理和太阳一样，太阳每天释放出大量的光和热，因为它的内部不断进行核聚变。
这个装置科学目标定得非常高，实现1亿摄氏度1000秒的等离子体运行。目前，EAST装置已稳定运行15年。
开始设计核聚变发电站，未来10年有望建示范工程
新京报：今年5月28日，EAST实现可重复的1.2亿摄氏度101秒和1.6亿摄氏度20秒等离子体运行，这意味着什么？距离1000秒的目标实现还有多远？
宋云涛：这打破了世界纪录，为未来建聚变堆奠定了坚实的物理和工程基础。擦火柴一闪，能量就没有了，而煤球可以一直燃烧，我们要做的就是用超导装置把聚变的“煤球”点燃。把这么大容量的上亿摄氏度的东西维持住并不容易，这个维持时间从毫秒到秒，再延长到100秒，发展进程是很快的。所以我说，磁约束核聚变的发展速度和电脑CPU芯片的发展速度一样快。
我们接下来的目标就是把维持时间延长到400秒、1000秒之后，这将在未来几年实现。
新京报：在EAST建设过程中，科研人员自主创新，进行了大量攻关，是否可以举个有代表性的例子？
宋云涛：为了达到聚变实验装置所要求的条件，EAST团队自主设计、研发了大部分具有我国自主知识产权的关键技术，创造性地完成了EAST装置主机的总体工程设计。
超导材料用于产生磁场，是非常关键的材料。靠着自主创新，我们和国内最好的超导企业来共同研发，根据聚变的需求研发了超导材料。当时中国10年能生产100公斤至150公斤，现在由于大科学装置的带动，我们能生产1000吨。国外60%-70%的超导材料要向我们买，我们国家的出口量也是很大的。
新京报：何时能用上核聚变能发电？
宋云涛：我们已经开始做未来核聚变发电站的工程设计。如果在国家大力支持下，我们希望在10年以内建成小的示范工程，真正实现聚变堆发电。未来，聚变核电站将在多地建设。
新京报：我国核聚变研究进展如何？在国际上是否处于前列？
宋云涛：以前国外把核聚变研究装置送给我们，我们用俄罗斯的旧装置锻炼了一代人。如今，我国核聚变研究了50多年，取得了一系列突破性进展。
中科院合肥研究院等离子体物理研究所正在承担建设聚变堆主机关键系统综合研究设施（CRAFT），这是国家“十三五”大科学装置，其超导磁体系统有4层楼高，其中包含一个关键部件——极端工况下偏滤器系统，我们已经实现了技术的掌控。目前，工程设计已经验收。
我们同时也面临着巨大的国际竞争和挑战。美国提出2035年至2040年在能源部和企业试点核聚变发电站发电。英国提出2040年实现核聚变能源商业化。中国也有自己的路线，我们参与了国际热核聚变实验堆（ITER）计划，也有“十三五”大科学装置，希望未来能真正实现聚变的应用。
新京报：国际热核聚变实验堆（ITER）计划重大工程安装启动仪式去年7月启动，中国在ITER计划中发挥了怎样的作用？
宋云涛：ITER装置在法国，它的目标是实现400秒高约束等离子体稳态运行，演示聚变能和平利用的工程技术可行性。ITER不会发电，但是它将解决关键的科学和技术问题。
1985年，国际热核聚变实验堆（ITER）计划提出，希望通过国际合作，建造一座核聚变反应堆，为人类的核能和平利用做点贡献，当时只有日本、欧盟、前苏联和美国加入，最开始中国是“挤”不进去的。曾经日本也希望中国作为其伙伴加入这个项目，中国没有同意，中国是一个大国，有自己的定位和实力。
中国自2006年开始参与ITER计划。作为七方成员之一，中国做出了巨大的贡献，承担了ITER装置近10%的采购包。中科院合肥研究院等离子体物理研究所是中方任务的主要承担单位，自2009年以来主持了超导导体、校正场线圈、磁体馈线系统等制造任务。我们承担的任务都是最难的，每一个技术点都能够引领一个战略新兴产业，包括超导、电源、诊断等，我们的超导导体性能远超国际同行，实现100%国产化、100%一次性合格、100%准时交货。
“人造太阳”零碳排放，可为碳中和做出贡献
新京报：“人造太阳”对碳中和能起到什么样的作用？我国承诺争取在2060年前实现“碳中和”，核聚变发电会比碳中和先实现吗？
宋云涛：核聚变是氘和氚发生反应，产生惰性气体氦和能量，是零排放。聚变能是核能发展的最终目标，聚变能可以为碳中和的实现做出重大贡献。国际领域专家已经提出较为完善的未来聚变电站设计规范。我国也会在2060年前建成聚变电站并广泛应用。
新京报：聚变电站的成本如何？
宋云涛：建设聚变电站成本很高，超导磁体在其中占了约40%，超导材料目前还是非常贵的。但近10年，超导材料价格在下降，工艺和产品成熟了，价格会不断下降。聚变电站的经济性会越来越高。
另外，相较于其他电站，聚变电站对人体和生态没有影响，对资源的影响小，所以聚变电站的外部成本最低。
新京报记者 张璐
编辑 冯雅君 校对 刘越
冷知识普及：大家都在吹的第三代半导体，到底是什么玩意？
杰夫视点
发布时间: 09-27
14:43
"金牌宠粉官,带货达人",编辑,优质数码领域创作者
不知道大家最近有没有发现，无论是国内还是国外，在谈到半导体行业的时候，总会冒出一个让人觉得新鲜的名词：第三代半导体。特别是最近我国一些论坛或者峰会上，都说到要在第三代半导体上大力发展，并表示第三代半导体已经进入快速增长期，我们要力争领先地位等等。
这样看起来似乎和标题有点不符：明明第三代半导体都这么热门了，怎么还是冷知识？其实也不难理解，对于普通用户来说，只要产品好用就行，至于几代半导体应该是不在意的。而且你要真问到什么是第三代半导体？或者问不同代半导体的区别是啥？笔者估计大多数人都是懵逼状态，所以说它是冷知识也没错。那么现在我们就来聊聊这个话题，看看全行业都在吹的第三代半导体到底是神马玩意儿！
第一代半导体，让计算机业彻底繁荣
要说到半导体这个名词的出现，那的确是比较久远了。如果追根溯源的话，得说到上世纪的40年代，因为在1940年全世界第一颗电子晶体管诞生了，这也就拉开了半导体时代的大幕。最早大家用于半导体的材料是锗（Ge），如果查看一下半导体的历史，就会发现在上世纪50年代以及60年代，大家的半导体设备基本都是用锗这种材料。所以说锗应该算是半导体材料的老祖先了，这也是我们口中说的第一代半导体。
没错，说到这里，大家应该恍然大悟了：原来不同代半导体的区别就是材料！是滴，但是第一代半导体的材料并不是只有锗，因为大家用锗来打造电子晶体管的时候发现，这货发热有点夸张，还很不好控制，容易引起很多问题，设备出故障是一方面，但是热失控很容易引起重大事故，所以大家开始发展另一种半导体材料——矽，也就是我们说的硅。
知道为啥有一个叫硅谷的地方能被众人看成是科技领域的圣地？现在大家应该明白了，因为在第一代半导体蓬勃发展的时候，矽就是成为了半导体的主要材料，而因为半导体发展而繁荣起来的圣塔克拉拉谷，也就被称为矽谷或者说硅谷了，毕竟硅谷最早是研究和生产以硅为基础的半导体芯片的地方。
一直到上世纪70年代，锗和矽都是半导体的主要材料。不过矽并非万能的材料，毕竟它有自己的物理极限，而且效率和耗电等方面，它已经慢慢无法满足一些科技发展的需求。而这个时候，是化学让半导体时代继续发展，化合物半导体的出现让半导体材料进入了第二代。
第二代半导体，化合物时代来临
之前说过了，当计算机业和电子业发展到一个地步的时候，矽或者说硅的问题就显现出来了，物理极限的问题我们现在都知道，厂商一直追求的能耗比其实已经说明了问题，所以大家都在寻找矽之外的材料来继续发展半导体行业。这个时候化合物半导体终于进入了历史的舞台。
要说化合物半导体，还得感谢赫赫有名的贝尔实验室（不是那个野外求生的贝尔……），在上世纪70年代发明了化合物半导体。从此以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为主的化合物半导体一跃成为半导体市场的主角。这两货的优点也很明显，拥有超高的电子迁移率，外加上它们兼备高频、低杂音、高效率及低耗电等特性，简直就是矽的最佳替代者，所以这两种材料一下成为半导体市场的主角。
整个半导体产业因而进入了以这两种材料为主的第二代半导体时代，直到现在第二代半导体材料也大量用于各种半导体器材设备中。由于这两货的功能特点，直接为以后的微波射频通信半导体发展打下了基础，所以我们现在生活的时代得感谢这两种半导体材料，因为大量的射频芯片，都是用这两种材料打造的。
当然第二代半导体材料的问世，并不代表第一代半导体就彻底被淘汰，不同半导体材料现在都可以活跃在不同的领域中。毕竟一些设备和芯片第一代半导体就能搞定，成本还低，不需要第二代半导体或者下面要说的第三代半导体。所以从现在看来，每代半导体材料的发展，并不是取代上一代半导体材料，而是让科技有更好以及更高端的发展。
第三代半导体，催化5G应用加速发展
第三代半导体其实和第二代半导体一样，都属于化合物半导体材料，而且这个材料我们还并不陌生，估计很多人都买过相应材料所制造的产品。比如说充电器，现在很多充电器用的材料都是GaN，也就是氮化镓，而这就是第三代半导体的主流材料。
第三代半导体主要是两种材料，分别是氮化镓（GaN）与碳化矽（SiC）。这两种材料的最大的特点就是宽能隙，而能隙越宽，就代表着其耐高频、高压、高温、高功率及高电流的性能也就越强，同时还具备高能源转换效率与低能耗的特性。这样的特点性能，恰好符合目前IoT设备连接、5G场景及电动车等最新应用的需求。
由于目前各国都在研发5G应用、loT智能设备以及电动车等技术和产品，所以这种宽能隙的材料自然就成为大家发展的重心。行业有一句老话叫“得碳化矽基板者得天下”，由此可见第三代半导体的研发，对于全球科技产业有多么重要。当然之前我们就说过了，三代半导体并非彼此淘汰取代的作用，而是每代半导体材料都在往更先进更高科技的应用领域发展，这不代表老的半导体材料就彻底无用。
比如说第一代半导体的矽，多用在各种处理器、内存芯片、逻辑芯片、微电子晶体管上，我们也比较常见到；第二代半导体的砷化镓则经常用在射频芯片上。至于第三代半导体的材料，主要会采用在高频率的射频元器件以及高功率的半导体元器件上，应用范围则比较广，包括5G、IoT、环保、电动车、卫星通讯及军事等领域。特别是5G和电动汽车，被视为第三代半导体的最大发展动力。
5G和高功率设备，离不开第三代半导体
现在大家应该明白了所谓的第三代半导体是什么意思，粗略地说就是用氮化镓和碳化矽这两种材料打造的半导体设备，就可以算是第三代半导体。当然这其中化合物的发展肯定不止是这两种，但这两种可以算是基础和主流。
那既然说5G、loT设备、电动车都需要第三代半导体，这里就可以举一些具体的例子。比如说5G基站，现在我国采用的Sub-6以及海外已经开始商用的毫米波，它们都需要海量的基础设施，这里就要用到大量的天线和射频元件，而以GaN为主要材料的半导体设备，就能发挥高频、高功率、大频宽、低功耗与小尺寸等优势。
去年全球GaN射频元件的市场为8.91 亿美元，而随着5G在全球的普及，这一市场在2026年将达到24亿美元。目前射频元件部分，很多还是采用的第二代半导体砷化镓以及金属氧化半导体为主材料，而GaN已经成为它们的主要竞争对手。现在GaN射频元件的主要材料是碳化矽基氮化镓GaN-on-SiC，NXP恩智浦半导体已经在去年开设了第一个6英寸的GaN-on-SiC晶圆厂；而过去的全球砷化镓代工大厂，也纷纷开始扩展GaN-on-SiC的产能，希望在未来的竞争中不落下风。
第三代半导体材料的另一个好处，就是非常适合拿来作为功率半导体元件，我们之前已经介绍过它们的特性，耐高温高压、转化率高，所以我们现在看到很多充电器都是用的GaN材料。目前GaN快充已然成为推动GaN功率元件成长的动力，很多手机厂商都已经配备GaN的快充充电器，比如说国内的OPPO就是如此。像小米以及其他外设厂商，也推出了多款GaN材料的充电器。
至于另一种SiC功率元件，目前市场比GaN还大，它和GaN特点相似，两者也经常结合起来为作为不同半导体设备的材料，比如之前介绍的射频元器件。不过SiC自己来做功率元件应用也是很广泛的，比如说作为有61%的SiC功率元件，都用于新能源汽车，另外像太阳能发电站以及各个充电站，也会用到SiC的功率元件。当然综合来看，电动车未来是推动SiC半导体发展的最大动力。
写在最后
关于第三代半导体，我们基本上就说到这里，虽然很粗浅，但是足以让大家了解到第三代半导体的意义，以及他们的特点和现在应用的范围。说实话，半导体虽然经历了三代，但是就和我们说的一样，这三代半导体是基于科技的发展而诞生，而不是说哪一代半导体是从上一代半导体的材料发展而来，所以他们没有互相淘汰的关系，虽然有竞争，但更像是处于平行状态，各自在各自领域发展。
目前第三代半导体发展最快还是中国、美国以及欧盟，特别是我国的科技企业，很早就开始涉足第三代半导体的研发，像比亚迪这样的公司，甚至已经有自己第三代半导体的晶圆厂；包括华为等公司，也在第三代半导体上积极投资。在去年我国第三代半导体的整体产值超过7100 亿人民币，在世界上的确处于领先地位。
对于我国来说，第三代半导体的发展的确相当关键，这不仅仅是因为未来的产业发展和市场有这么大的需求，同时如果在第三代半导体的研发上占据领先位置，也有利于解决我国在半导体上被海外卡脖子的窘境，真正站上半导体强国的位置！
内容太多了！
我买的股票已经跌去50%多了
别炒*股，炒*股太难赚钱了，除非在广州深圳香港
完全赞同不要炒股。但是我本身就是在广州的
不要炒股，炒股一点都不好玩
朗朗 发表于 21-9-29 23:15
我买的股票已经跌去50%多了
亏你什么多呢，我2015入市，亏很多，基本差不多亏完。那时候融资。后面一直没碰，去年买了一点，没钱赚，就出来了。炒股很实在，不会炒要承认，不要逞强就好，我觉得没有炒股的命，不要做韭菜最好。
广州深圳香港可以炒股，什么道理哦。上海北京等等都适合炒股嘛，看人。
谁都可以炒，门槛 这么低，可见 赚钱不了。新的 刚 走向社会， 开始 工作的，都是 “股票 小白”，又被 大庄家 们 “割 三五年 一次的 韭菜”
花开花落 发表于 21-11-26 13:52
亏你什么多呢，我2015入市，亏很多，基本差不多亏完。那时候融资。后面一直没碰，去年买了一点，没钱赚， ...
北京上海深圳广州也有很多不炒股的
我都失业了，待岗好几年了
secondquick 发表于 22-5-18 14:01
我都失业了，待岗好几年了
你都在家待业了，还关心着中国的未来，佩服，兄弟我还是劝你多关心下自己的经济和生活状况:)
502201794 发表于 22-5-18 14:43
你都在家待业了，还关心着中国的未来，佩服，兄弟我还是劝你多关心下自己的经济和生活状况
我现在还好，已经有了两套房子